Параметры Полевой транзистор серии TPS1101DR

TPS1101DR

Тип монтажа :

Производитель :

Корпус :

Описание : TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 15V V(BR)DSS | 620MA I(D) | SO
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 15V V(BR)DSS | 620MA I(D) | SO

Рабочая температура : Min °C | Max °C

TPS1101DR