Параметры Полевой транзистор серии TLP4592G
TLP4592G
Тип монтажа :
Производитель : Toshiba Semiconductor
Корпус :
Описание : Toshiba TLP4592G consists aluminum gallium arsenide infrared emitting diode optically coupled photo-MOSFET package.
Toshiba TLP4592G consists aluminum gallium arsenide infrared emitting diode optically coupled photo-MOSFET package.
Рабочая температура : Min °C | Max °C