Параметры Полевой транзистор серии STRH80P6FSY3
STRH80P6FSY3
Тип монтажа :
Производитель : Microelectronics, Inc.
Корпус :
Описание : P-channel 0.021 TO-254AA Rad-hard gate charge STripFET™ Power MOSFET
P-channel 0.021 TO-254AA Rad-hard gate charge STripFET™ Power MOSFET
Рабочая температура : Min °C | Max °C