Параметры Полевой транзистор серии STB12NM50ND

STB12NM50ND

Тип монтажа :

Производитель : STMicroelectronics

Корпус :

Описание : N-channel 500 V, 0.29 , 11 A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode), D2PAK, DPAK
N-channel 500 V, 0.29 , 11 A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode), D2PAK, DPAK

Рабочая температура : Min °C | Max °C

STB12NM50ND