Параметры Полевой транзистор серии NTR3162PT1G

NTR3162PT1G

Тип монтажа :

Производитель : ON Semiconductor

Корпус :

Описание : Power MOSFET −20 V, −3.6 A, Single P−Channel, SOT−23
Power MOSFET −20 V, −3.6 A, Single P−Channel, SOT−23

Рабочая температура : Min °C | Max °C

NTR3162PT1G