Параметры Полевой транзистор серии NTLJD3182FZTBG
NTLJD3182FZTBG
Тип монтажа :
Производитель : Semiconductor
Корпус :
Описание : Power MOSFET Schottky Diode −20 −4.0 ??Cool?? Single P−Channel Schottky Barrier Diode,
Power MOSFET Schottky Diode −20 −4.0 ??Cool?? Single P−Channel Schottky Barrier Diode,
Рабочая температура : Min °C | Max °C