Параметры Полевой транзистор серии NTLGD3502NT1G
NTLGD3502NT1G
Тип монтажа :
Производитель : Semiconductor
Корпус :
Описание : Power MOSFET A/4.6 Dual N−Channel, DFN6 Package
Power MOSFET A/4.6 Dual N−Channel, DFN6 Package
Рабочая температура : Min °C | Max °C