Параметры Полевой транзистор серии NTHD3133PFT1G
NTHD3133PFT1G
Тип монтажа :
Производитель : Semiconductor
Корпус :
Описание : Power MOSFET Schottky Diode FETKY, P-Channel, -4.4 with Schottky Barrier Diode, ChipFET??
Power MOSFET Schottky Diode FETKY, P-Channel, -4.4 with Schottky Barrier Diode, ChipFET??
Рабочая температура : Min °C | Max °C