Параметры Полевой транзистор серии NTHD2110TT1G
NTHD2110TT1G
Тип монтажа :
Производитель : Semiconductor
Корпус :
Описание : Power MOSFET -6.4 Single P-Channel ChipFET?? Package
Power MOSFET -6.4 Single P-Channel ChipFET?? Package
Рабочая температура : Min °C | Max °C