Параметры Полевой транзистор серии NTHD2102PT1G
NTHD2102PT1G
Тип монтажа :
Производитель : Semiconductor
Корпус :
Описание : Power MOSFET −8.0 −4.6 Dual P−Channel ChipFET
Power MOSFET −8.0 −4.6 Dual P−Channel ChipFET
Рабочая температура : Min °C | Max °C