Полевой транзистор Сайт

Все о Полевой транзистор

Параметры Полевой транзистор серии NTGD4167CT1G

NTGD4167CT1G

Тип монтажа :

Производитель : Semiconductor

Корпус :

Описание : Power MOSFET Complementary, +2.9/−2.2 TSOP−6 Dual
Power MOSFET Complementary, +2.9/−2.2 TSOP−6 Dual

Рабочая температура : Min °C | Max °C

NTGD4167CT1G PDF