Параметры Полевой транзистор серии NTGD4167CT1G
NTGD4167CT1G
Тип монтажа :
Производитель : Semiconductor
Корпус :
Описание : Power MOSFET Complementary, +2.9/−2.2 TSOP−6 Dual
Power MOSFET Complementary, +2.9/−2.2 TSOP−6 Dual
Рабочая температура : Min °C | Max °C