Параметры Полевой транзистор серии NTGD3149CT1G
NTGD3149CT1G
Тип монтажа :
Производитель : Semiconductor
Корпус :
Описание : Power MOSFET Complementary, +3.5/−2.7 TSOP−6 Dual
Power MOSFET Complementary, +3.5/−2.7 TSOP−6 Dual
Рабочая температура : Min °C | Max °C