Параметры Полевой транзистор серии NTD4856N-35G

NTD4856N-35G

Тип монтажа :

Производитель : Semiconductor

Корпус :

Описание : Power MOSFET Single N-Channel, DPAK/IPAK
Power MOSFET Single N-Channel, DPAK/IPAK

Рабочая температура : Min °C | Max °C

NTD4856N-35G PDF