Параметры Полевой транзистор серии MTB2P50ET4G

MTB2P50ET4G

Тип монтажа :

Производитель : Semiconductor

Корпус :

Описание : Power MOSFET Amps, Volts P−Channel D2PAK
Power MOSFET Amps, Volts P−Channel D2PAK

Рабочая температура : Min °C | Max °C

MTB2P50ET4G PDF