Параметры Полевой транзистор серии MG800J1US51
MG800J1US51
Тип монтажа :
Производитель : Toshiba Semiconductor
Корпус :
Описание : CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
Рабочая температура : Min °C | Max °C