Параметры Полевой транзистор серии MG25Q6ES51
MG25Q6ES51
Тип монтажа :
Производитель : Toshiba Semiconductor
Корпус :
Описание : CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
Рабочая температура : Min °C | Max °C