Параметры Полевой транзистор серии MG200J6ES60

MG200J6ES60

Тип монтажа :

Производитель :

Корпус :

Описание : TOSHIBA Module Silicon Channel IGBT
TOSHIBA Module Silicon Channel IGBT

Рабочая температура : Min °C | Max °C

MG200J6ES60 PDF