Параметры Полевой транзистор серии MG1200FXF1US51
MG1200FXF1US51
Тип монтажа :
Производитель : TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]
Корпус :
Описание : TOSHIBA Module Silicon N-Channel IGBT
TOSHIBA Module Silicon N-Channel IGBT
Рабочая температура : Min °C | Max °C