Параметры Полевой транзистор серии MG10Q6ES51A
MG10Q6ES51A
Тип монтажа :
Производитель : TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]
Корпус :
Описание : CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
CHANNEL IGBT (HIGH PWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
Рабочая температура : Min °C | Max °C