Параметры Полевой транзистор серии MG100Q2YS11
MG100Q2YS11
Тип монтажа :
Производитель : Toshiba Semiconductor
Корпус :
Описание : Module Silicon Channel IGBT High Power Switching Applications Motor Control Applications
Module Silicon Channel IGBT High Power Switching Applications Motor Control Applications
Рабочая температура : Min °C | Max °C