Параметры Полевой транзистор серии IXSR40N60BD1
IXSR40N60BD1
Тип монтажа :
Производитель : IXYS[IXYS Corporation]
Корпус :
Описание : IGBT with Diode ISOPLUS (Electrically Isolated Backside)
IGBT with Diode ISOPLUS (Electrically Isolated Backside)
Рабочая температура : Min °C | Max °C