Параметры Полевой транзистор серии IXSN80N60BD1

IXSN80N60BD1

Тип монтажа :

Производитель :

Корпус :

Описание : IGBT with Diode Short Circuit Capability
IGBT with Diode Short Circuit Capability

Рабочая температура : Min °C | Max °C

IXSN80N60BD1 PDF