Параметры Полевой транзистор серии IXSN35N100U1
IXSN35N100U1
Тип монтажа :
Производитель : IXYS[IXYS Corporation]
Корпус :
Описание : IGBT with Diode High Short Circuit Capability
IGBT with Diode High Short Circuit Capability
Рабочая температура : Min °C | Max °C