Параметры Полевой транзистор серии IXSH30N60U1
IXSH30N60U1
Тип монтажа :
Производитель : IXYS[IXYS Corporation]
Корпус :
Описание : VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode Combi Packs Short Circuit Capability
VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode Combi Packs Short Circuit Capability
Рабочая температура : Min °C | Max °C