Параметры Полевой транзистор серии IXSA10N60B2D1

IXSA10N60B2D1

Тип монтажа :

Производитель : IXYS[IXYS Corporation]

Корпус :

Описание : High Speed IGBT with Diode
High Speed IGBT with Diode

Рабочая температура : Min °C | Max °C

IXSA10N60B2D1 PDF