Параметры Полевой транзистор серии IXGT15N120BD1
IXGT15N120BD1
Тип монтажа :
Производитель : IXYS Corporation
Корпус :
Описание : VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode
VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode
Рабочая температура : Min °C | Max °C