Параметры Полевой транзистор серии IXGH40N30BD1S

IXGH40N30BD1S

Тип монтажа :

Производитель :

Корпус :

Описание : TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 300V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 300V V(BR)CES | 60A I(C) | TO-247SMD

Рабочая температура : Min °C | Max °C

IXGH40N30BD1S