Параметры Полевой транзистор серии IXGH10N100AU1
IXGH10N100AU1
Тип монтажа :
Производитель : IXYS[IXYS Corporation]
Корпус :
Описание : VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode
VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode
Рабочая температура : Min °C | Max °C