Параметры Полевой транзистор серии IXFH6N100Q

IXFH6N100Q

Тип монтажа :

Производитель : IXYS Corporation

Корпус :

Описание : N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(?????????????000V,???????.9???????????iPerFET???MOSFET)
N-Channel Enhancement Mode HiPerFET Power MOSFET(?????????????000V,???????.9???????????iPerFET???MOSFET)

Рабочая температура : Min °C | Max °C

IXFH6N100Q