Параметры Полевой транзистор серии IXDT30N120
IXDT30N120
Тип монтажа :
Производитель : IXYS Corporation
Корпус :
Описание : High Voltage IGBT with optional Diode
High Voltage IGBT with optional Diode
Рабочая температура : Min °C | Max °C
Тип монтажа :
Производитель : IXYS Corporation
Корпус :
Описание : High Voltage IGBT with optional Diode
High Voltage IGBT with optional Diode
Рабочая температура : Min °C | Max °C