Параметры Полевой транзистор серии IXDN50N120
IXDN50N120
Тип монтажа :
Производитель : IXYS
Корпус :
Описание : High Voltage IGBT with Diode(Short Circuit Capability)
High Voltage IGBT with Diode(Short Circuit Capability)
Рабочая температура : Min °C | Max °C