Параметры Полевой транзистор серии IRGDDN200M12

IRGDDN200M12

Тип монтажа :

Производитель :

Корпус :

Описание : TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 420A I(C)
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 420A I(C)

Рабочая температура : Min °C | Max °C

IRGDDN200M12