Параметры Полевой транзистор серии IRG4BC30US
IRG4BC30US
Тип монтажа :
Производитель : IRF[International Rectifier]
Корпус :
Описание : INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ. 1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ. 1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
Рабочая температура : Min °C | Max °C