Параметры Полевой транзистор серии IRFNG50
IRFNG50
Тип монтажа :
Производитель : IRF[International Rectifier]
Корпус :
Описание : POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=1000V, Rds(on)=2.0ohm, Id=5.5A)
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=1000V, Rds(on)=2.0ohm, Id=5.5A)
Рабочая температура : Min °C | Max °C