Параметры Полевой транзистор серии IGT4E10

IGT4E10

Тип монтажа :

Производитель :

Корпус :

Описание : TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-220AB
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-220AB

Рабочая температура : Min °C | Max °C

IGT4E10