Параметры Полевой транзистор серии HGTP1N120BND
HGTP1N120BND
Тип монтажа :
Производитель : INTERSIL[Intersil Corporation]
Корпус :
Описание : 5.3A, 1200V, Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
5.3A, 1200V, Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Рабочая температура : Min °C | Max °C