Параметры Полевой транзистор серии HGTG18N120BN

HGTG18N120BN

Тип монтажа :

Производитель : Fairchild Semiconductor

Корпус :

Описание : 1200V, Series N-Channel IGBT
1200V, Series N-Channel IGBT

Рабочая температура : Min °C | Max °C

HGTG18N120BN PDF