Параметры Полевой транзистор серии HGTG10N120BND
HGTG10N120BND
Тип монтажа :
Производитель : Intersil
Корпус :
Описание : 1200V, Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
1200V, Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Рабочая температура : Min °C | Max °C