Параметры Полевой транзистор серии HGTD1N120BNS

HGTD1N120BNS

Тип монтажа :

Производитель : Intersil

Корпус :

Описание : 5.3A, 1200V, Series N-Channel IGBT
5.3A, 1200V, Series N-Channel IGBT

Рабочая температура : Min °C | Max °C

HGTD1N120BNS PDF