Параметры Полевой транзистор серии HGT1S7N60C3DS9A

HGT1S7N60C3DS9A

Тип монтажа :

Производитель :

Корпус :

Описание : TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AB
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AB

Рабочая температура : Min °C | Max °C

HGT1S7N60C3DS9A