Параметры Полевой транзистор серии GT8J102

GT8J102

Тип монтажа :

Производитель : Toshiba Semiconductor

Корпус :

Описание : Silicon N-Channel IGBT for High Power Switching Application(??????????????N?????????????????
Silicon N-Channel IGBT for High Power Switching Application(??????????????N?????????????????

Рабочая температура : Min °C | Max °C

GT8J102