Параметры Полевой транзистор серии GT50J327
GT50J327
Тип монтажа :
Производитель : TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]
Корпус :
Описание : TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon Channel IGBT Current Resonance Inverter Switching Application
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon Channel IGBT Current Resonance Inverter Switching Application
Рабочая температура : Min °C | Max °C