Параметры Полевой транзистор серии GT40G121
GT40G121
Тип монтажа :
Производитель : TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]
Корпус :
Описание : TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon Channel IGBT
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon Channel IGBT
Рабочая температура : Min °C | Max °C