Параметры Полевой транзистор серии GT30J311
GT30J311
Тип монтажа :
Производитель : Toshiba Semiconductor
Корпус :
Описание : CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
Рабочая температура : Min °C | Max °C