Параметры Полевой транзистор серии GT30J101
GT30J101
Тип монтажа :
Производитель : Toshiba Semiconductor
Корпус :
Описание : Silicon Channel IGBT
Silicon Channel IGBT
Рабочая температура : Min °C | Max °C
Тип монтажа :
Производитель : Toshiba Semiconductor
Корпус :
Описание : Silicon Channel IGBT
Silicon Channel IGBT
Рабочая температура : Min °C | Max °C