Параметры Полевой транзистор серии GT25G101SM_06
GT25G101SM06
Тип монтажа :
Производитель : Toshiba Semiconductor
Корпус :
Описание : SILICON N−CHANNEL IGBT STROBE FLASH APPLICATIONS
SILICON N−CHANNEL IGBT STROBE FLASH APPLICATIONS
Рабочая температура : Min °C | Max °C