Параметры Полевой транзистор серии GT15Q301_06
GT15Q30106
Тип монтажа :
Производитель : Toshiba Semiconductor
Корпус :
Описание : SILICON CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
SILICON CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
Рабочая температура : Min °C | Max °C