Параметры Полевой транзистор серии GT15J311SM

GT15J311SM

Тип монтажа :

Производитель : Toshiba Semiconductor

Корпус :

Описание : Silicon N-Channel IGBT for High Power Switching Application(??????????????N?????????????????
Silicon N-Channel IGBT for High Power Switching Application(??????????????N?????????????????

Рабочая температура : Min °C | Max °C

GT15J311SM