Параметры Полевой транзистор серии GT10J312(SM)

GT10J312(SM)

Тип монтажа :

Производитель : Toshiba Semiconductor

Корпус :

Описание : N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

Рабочая температура : Min °C | Max °C

GT10J312(SM)