Параметры Полевой транзистор серии GT10J311
GT10J311
Тип монтажа :
Производитель : Toshiba Semiconductor
Корпус :
Описание : CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING/ MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING/ MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
Рабочая температура : Min °C | Max °C